参数资料
型号: SPP80N06S2L-06
厂商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: OptiMOS Power-Transistor
中文描述: 的OptiMOS功率晶体管
文件页数: 3/8页
文件大小: 415K
代理商: SPP80N06S2L-06
2003-05-09
Page 3
SPI80N06S2L-05
SPP80N06S2L-05,SPB80N06S2L-05
Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic Characteristics
Transconductance
g
fs
V
DS
2*
I
D
*
R
DS(on)max
,
I
D
=80A
76
152
-
S
Input capacitance
Output capacitance
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f
=1MHz
-
-
5700
1330
7530 pF
1760
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
-
-
360
25
540
38
V
DD
=30V,
V
GS
=10V,
I
D
=80A,
R
G
=1.3
ns
Rise time
-
93
140
Turn-off delay time
Fall time
-
-
67
90
100
135
Gate Charge Characteristics
Gate to source charge
Gate to drain charge
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=44V,
I
D
=80A
-
-
19
60
25
90
nC
Gate charge total
V
DD
=44V,
I
D
=80A,
V
GS
=0 to 10V
-
170
230
Gate plateau voltage
V
(plateau)
V
DD
=44V,
I
D
=80A
-
3.3
-
V
Reverse Diode
Inverse diode continuous
forward current
I
S
T
C
=25°C
-
-
80
A
Inv. diode direct current, pulsed
Inverse diode forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
-
-
320
V
GS
=0V,
I
F
=80A
-
0.9
1.3
V
V
R
=30V,
I
F=
l
S
,
d
i
F
/d
t
=100A/μs
-
-
65
125
80
160
ns
nC
相关PDF资料
PDF描述
SPP80N06S2L-07 OptiMOS Power-Transistor
SPP80N06S2L-09 OptiMOS Power-Transistor
SPP80N06S2L-11 OptiMOS Power-Transistor
SPP80N06S2L-H5 OptiMOS Power-Transistor
SPL081A Low Voltage 7KB LCD Controller
相关代理商/技术参数
参数描述
SPP80N06S2L-07 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SPP80N06S2L-07 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220
SPP80N06S2L07NK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
SPP80N06S2L-09 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SPP80N06S2L09NK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB