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参数资料
| 型号： | SQ7414EN-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 8.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SQ7414EN
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
30
V GS = 10 V thru 5 V
30
24
4V
25
20
18
15
12
10
T C = 125 °C
6
0
3V
5
0
25 °C
- 55 °C
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
0.06
0.05
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1200
1000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
800
600
400
200
0
C oss
C rss
C iss
0
5
10
15
20
25
30
0
10
20
30
40
50
60
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2.0
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
V DS = 30 V
I D = 8.7 A
1.8
V GS = 10 V
I D = 8.7 A
1.6
6
4
1.4
1.2
1.0
2
0.8
0
0.6
0
4
8
12
16
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
S13-1462-Rev. E, 01-Jul-13
3
Document Number: 74489
For technical questions, contact: automostechsupport@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SQ7415EN-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK 1212-8 |
| SQD15N06-42L-GE3 | MOSFET N-CH 60V 15A TO252 |
| SQD19P06-60L-GE3 | MOSFET P-CH D-S 60V TO252 |
| SQD23N06-31L-GE3 | MOSFET N-CH D-S 60V TO252 |
| SQD35N05-26L-GE3 | MOSFET N-CH D-S 55V 30A TO252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SQ7415AEN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 60V 16A 53W P-Ch Automotive RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SQ7415EN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
| SQ7415EN-T1 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
| SQ7415EN-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 5.7A 1.5W 65mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SQ742 | 制造商:POLYFET 制造商全称:Polyfet RF Devices 功能描述:SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
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