- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录518 > SQ7414EN-T1-E3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SQ7414EN-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 8.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SQ7414EN
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
30
T J = 150 °C
0.08
0.06
I D = 8.7 A
10
0.04
1
T J = 25 °C
0.02
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.4
0.2
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
50
40
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.0
30
- 0.2
20
- 0.4
10
- 0.6
- 0.8
- 50
- 25
0
25 50 75 100
125
150
0
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
S13-1462-Rev. E, 01-Jul-13
4
Document Number: 74489
For technical questions, contact: automostechsupport@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SQ7415EN-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK 1212-8 |
| SQD15N06-42L-GE3 | MOSFET N-CH 60V 15A TO252 |
| SQD19P06-60L-GE3 | MOSFET P-CH D-S 60V TO252 |
| SQD23N06-31L-GE3 | MOSFET N-CH D-S 60V TO252 |
| SQD35N05-26L-GE3 | MOSFET N-CH D-S 55V 30A TO252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SQ7415AEN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 60V 16A 53W P-Ch Automotive RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SQ7415EN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
| SQ7415EN-T1 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
| SQ7415EN-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 5.7A 1.5W 65mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SQ742 | 制造商:POLYFET 制造商全称:Polyfet RF Devices 功能描述:SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。