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参数资料
| 型号： | SQJ469EP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 80V 32A PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 10.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 155nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5100pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SQJ469EP
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
2.5
I D = 9.3 A
100
2.1
V GS = 10 V
10
1.7
1
T J = 150 °C
1.3
0.9
0.5
V GS = 6 V
0.1
0.01
0.001
T J = 25 °C
- 50
- 25
0 25 50 75 100 125
150
175
0.0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
0.15
0.12
0.09
0.06
0.03
0.00
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
T J = 150 °C
T J = 25 °C
1.1
0.8
0.5
0.2
- 0.1
- 0.4
V S D - S ource-to-Drain Voltage (V)
Source Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
I D = 5 mA
0
2 4 6 8
10
- 50
- 25
0
25 50 75 100
125
150
175
V GS - G ate-to- S ource Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 80
I D = 10 mA
- 84
- 88
- 92
- 96
- 100
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
- 50
- 25
0 25 50 75 100 125
150
175
T J - Junction Temperature (°C)
Drain-Source Breakdown vs. Junction Temperature
S11-2288-Rev. B, 28-Nov-11
4
Document Number: 65936
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SQJ500EP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 8A 48W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SQJ840EP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 ?°C MOSFET |
| SQJ840EP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 30A 46W N-Ch Automotive RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SQJ844EP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 ?°C MOSFET |
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