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参数资料
| 型号： | SQJ469EP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 80V 32A PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 10.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 155nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5100pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SQJ469EP
www.vishay.com
THERMAL RATINGS (T C = 25 °C, unless otherwise noted)
100
I DM Limited
100 μs
Vishay Siliconix
10
Limited by R DS(on) *
I D Limited
1 ms
10 ms
1
0.1
0.01
T C = 25 °C
Single Pulse
BVDSS Limited
100 ms, 1 s, 10 s, DC
0.01
0.1 1 10 100
V D S - Drain-to- S ource Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R D S (on) i s s pecified
Safe Operating Area
2
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
t 1
t 2
0.1
0.01
0.05
0.02
S ingle P u lse
P DM
t 1
t 2
1. D u ty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 65 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
10 -2
10 -1
1 10
100
1000
Sq u are Wave P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
S11-2288-Rev. B, 28-Nov-11
5
Document Number: 65936
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SQJ844EP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC |
| SQJ941EP-T1-GE3 | MOSFET DUAL P-CH 30V PPAK 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SQJ500EP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive N- and P-Channel 40 V (D-S) 175 Celsius MOSFET |
| SQJ500EP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 8A 48W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SQJ840EP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 ?°C MOSFET |
| SQJ840EP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 30A 46W N-Ch Automotive RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SQJ844EP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 ?°C MOSFET |
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