参数资料
型号: SST39VF1602C-70-4I-EKE
厂商: Microchip Technology
文件页数: 11/33页
文件大小: 0K
描述: IC FLASH MPF 16MBIT 70NS 48TSOP
标准包装: 96
系列: SST39 MPF™
格式 - 存储器: 闪存
存储器类型: FLASH
存储容量: 16M (1M x 16)
速度: 70ns
接口: 并联
电源电压: 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
供应商设备封装: 48-TSOP
包装: 托盘
16 Mbit Multi-Purpose Flash Plus
SST39VF1601C / SST39VF1602C
Data Sheet
TABLE 8: CFI Query Identification String 1
Address
10H
11H
12H
13H
14H
15H
16H
17H
18H
19H
1AH
Data
0051H
0052H
0059H
0002H
0000H
0000H
0000H
0000H
0000H
0000H
0000H
Data
Query Unique ASCII string “QRY”
Primary OEM command set
Address for Primary Extended Table
Alternate OEM command set (00H = none exists)
Address for Alternate OEM extended Table (00H = none exits)
T8.1 1380
1. Refer to CFI publication 100 for more details.
TABLE 9: System Interface Information
Address
1BH
1CH
1DH
1EH
1FH
20H
21H
22H
23H
24H
25H
26H
Data
0027H
0036H
0000H
0000H
0003H
0000H
0004H
0005H
0001H
0000H
0001H
0001H
Data
V DD Min (Program/Erase)
DQ 7 -DQ 4 : Volts, DQ 3 -DQ 0 : 100 millivolts
V DD Max (Program/Erase)
DQ 7 -DQ 4 : Volts, DQ 3 -DQ 0 : 100 millivolts
V PP min. (00H = no V PP pin)
V PP max. (00H = no V PP pin)
Typical time out for Word-Program 2 N μs (2 3 = 8 μs)
Typical time out for min. size buffer program 2 N μs (00H = not supported)
Typical time out for individual Sector/Block-Erase 2 N ms (2 4 = 16 ms)
Typical time out for Chip-Erase 2 N ms (2 5 = 32 ms)
Maximum time out for Word-Program 2 N times typical (2 1 x 2 3 = 16 μs)
Maximum time out for buffer program 2 N times typical
Maximum time out for individual Sector/Block-Erase 2 N times typical (2 1 x 2 4 = 32 ms)
Maximum time out for Chip-Erase 2 N times typical (2 1 x 2 5 = 64 ms)
T9.3 1380
?2010 Silicon Storage Technology, Inc.
11
S71380-04-000
05/10
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PDF描述
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