- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4227 > SST39VF6401B-70-4I-EKE-T (Microchip Technology)IC FLASH MPF 64MBIT 70NS 48TSOP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SST39VF6401B-70-4I-EKE-T |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 17/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH MPF 64MBIT 70NS 48TSOP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | SST39 MPF™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 64M（4M x 16） |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 48-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页当前第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页
64 Mbit Multi-Purpose Flash Plus
A Microchip Technology Company
SST39VF6401B / SST39VF6402B
Not Recommended for New Designs
Table 12: DC Operating Characteristics V DD = 2.7-3.6V 1
Limits
Symbol Parameter
I DD
Power Supply Current
Min
Max
Units
Test Conditions
Address input=V ILT /V IHT2 , at f=5
MHz, V DD =V DD Max
Read 3
Program and Erase
18
35
mA
mA
CE#=V IL , OE#=WE#=V IH , all I/Os open
CE#=WE#=V IL , OE#=V IH
I SB
I ALP
Standby V DD Current
Auto Low Power
20
20
μA
μA
CE#=V IHC , V DD =V DD Max
CE#=V ILC , V DD =V DD Max
All inputs=V SS or V DD, WE#=V IHC
I LI
I LIW
Input Leakage Current
Input Leakage Current
1
10
μA
μA
V IN =GND to V DD , V DD =V DD Max
WP#=GND to V DD or RST#=GND to
on WP# pin and RST#
V DD
I LO
V IL
V ILC
V IH
V IHC
V OL
V OH
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input Low Voltage (CMOS)
Input High Voltage
Input High Voltage (CMOS)
Output Low Voltage
Output High Voltage
0.7V DD
V DD -0.3
V DD -0.2
10
0.8
0.3
0.2
μA
V
V
V
V
V
V
V OUT =GND to V DD , V DD =V DD Max
V DD =V DD Min
V DD =V DD Max
V DD =V DD Max
V DD =V DD Max
I OL =100 μA, V DD =V DD Min
I OH =-100 μA, V DD =V DD Min
T12.0 25008
1. Typical conditions for the Active Current shown on the front page of the data sheet are average values at 25°C
(room temperature), and V DD = 3V. Not 100% tested.
2. See Figure 17
3. The I DD current listed is typically less than 2mA/MHz, with OE# at V IH. Typical V DD is 3V.
Table 13: Recommended System Power-up Timings
Symbol
T PU-READ1
T PU-WRITE1
Parameter
Power-up to Read Operation
Power-up to Program/Erase Operation
Minimum
100
100
Units
μs
μs
T13.0 25008
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
Table 14: Capacitance (T A = 25°C, f=1 Mhz, other pins open)
Parameter
C I/O1
C IN1
Description
I/O Pin Capacitance
Input Capacitance
Test Condition
V I/O = 0V
V IN = 0V
Maximum
12 pF
6 pF
T14.0 25008
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
Table 15: Reliability Characteristics
Symbol
N END1,2
T DR1
I LTH1
Parameter
Endurance
Data Retention
Latch Up
Minimum Specification
10,000
100
100 + I DD
Units
Cycles
Years
mA
Test Method
JEDEC Standard A117
JEDEC Standard A103
JEDEC Standard 78
T15.0 25008
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
2. N END endurance rating is qualified as a 10,000 cycle minimum for the whole device. A sector- or block-level rating would
result in a higher minimum specification.
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
17
DS25008A
08/11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XC2V1000-5BG575I | IC FPGA VIRTEX-II 575PBGA |
| XC2V1000-6BGG575C | IC FPGA VIRTEX-II 2M 575-MBGA |
| SST49LF016C-33-4C-WHE-T | IC FLASH SER LPC 16MBIT 32TSOP |
| XC2V1000-5BGG575I | IC FPGA VIRTEX-II 2M 575-MBGA |
| SST49LF016C-33-4C-NHE-T | IC FLASH SER LPC 16MBIT 32PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST39VF6401B-70-4I-EKE-T-CUT TAPE | 制造商:Microchip 功能描述:SST39VF Series 64 Mb (4 M x 16) 3.6 V Multi-Purpose Flash Plus SMT - TSOP-48 |
| SST39VF6402B-70-4C-B1KE | 功能描述:闪存 64M (4Mx16) 70ns Commercial Temp RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF6402B-70-4C-B1KE-T | 功能描述:闪存 2.7 to 3.6V 64Mbit Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF6402B-70-4C-EKE | 功能描述:闪存 64M (4Mx16) 70ns Commercial Temp RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF6402B-70-4C-EKE-T | 功能描述:闪存 2.7 to 3.6V 64Mbit Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。