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参数资料
| 型号： | SST39VF6401B-70-4I-EKE-T |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 18/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH MPF 64MBIT 70NS 48TSOP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | SST39 MPF™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 64M（4M x 16） |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 48-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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64 Mbit Multi-Purpose Flash Plus
A Microchip Technology Company
SST39VF6401B / SST39VF6402B
Not Recommended for New Designs
AC Characteristics
Table 16: Read Cycle Timing Parameters V DD = 2.7-3.6V
SST39VF640xB-70
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
T RC
T CE
T AA
T OE
T CLZ1
Read Cycle Time
Chip Enable Access Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
CE# Low to Active Output
70
0
70
70
35
ns
ns
ns
ns
ns
T OLZ
1
OE# Low to Active Output
0
ns
T CHZ1
CE# High to High-Z Output
20
ns
T OHZ
1
OE# High to High-Z Output
20
ns
T OH1
T RP1
T RHR1
Output Hold from Address Change
RST# Pulse Width
RST# High before Read
0
500
50
ns
ns
ns
T RY
1,2
RST# Pin Low to Read Mode
20
μs
T16.0 25008
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
2. This parameter applies to Sector-Erase, Block-Erase, and Program operations.
This parameter does not apply to Chip-Erase operations.
Table 17: Program/Erase Cycle Timing Parameters
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
T BP
T AS
T AH
T CS
T CH
T OES
T OEH
T CP
T WP
T WPH1
T CPH1
T DS
T DH1
T IDA1
T SE
T BE
T SCE
Word-Program Time
Address Setup Time
Address Hold Time
WE# and CE# Setup Time
WE# and CE# Hold Time
OE# High Setup Time
OE# High Hold Time
CE# Pulse Width
WE# Pulse Width
WE# Pulse Width High
CE# Pulse Width High
Data Setup Time
Data Hold Time
Software ID Access and Exit Time
Sector-Erase
Block-Erase
Chip-Erase
0
30
0
0
0
10
40
40
30
30
30
0
10
150
25
25
50
μs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ms
T17.0 25008
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
18
DS25008A
08/11
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