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参数资料
| 型号： | SST85LD1004M-60-4C-LBTE |
| 厂商： | SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 存储控制器/管理单元 |
| 英文描述： | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| 封装： | 12 X 24 MM, ROHS COMPLIANT, MO-210, LBGA-91 |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 212K |
| 代理商： | SST85LD1004M-60-4C-LBTE |
11
Fact Sheet
1 GByte / 2 GByte / 4 GByte NANDrive
SST85LD1001K / SST85LD1002L / SST85LD1004M
2008 Silicon Storage Technology, Inc.
S71319(01)-02-000
6/08
9.0 PACKAGING DIAGRAM
FIGURE
9-1: mini-NANDrive 91-Ball Low Profile Ball Grid Array (LBGA)
SST Package Code: LBT
Note: 1. Although many dimensions are similar to those of JEDEC
Publication 95, MO-210, this specific package is not registered.
2. All linear dimensions are in millimeters.
3. Coplanarity: 0.15 mm
4. Ball opening size is 0.40 mm (± 0.05 mm)
BOTTOM VIEW
91-lbga-LBT-12x24-1.0
1mm
DETAIL
SIDE VIEW
SEATING PLANE
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
TOP VIEW
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
T
R
P
N
M
L
K
J
H
G
F
E
D
C
B
A
0.40 ± 0.05
A1
CORNER
A1
CORNER
0.15
1.30
± 0.10
1.0
0.50
± 0.05
(91x)
7.0
9.0
24.0 ±0.1
12.0
±0.1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST85LD1001K-60-4C-LBTE | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| SST85LD1002L-60-4C-LBTE | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| SST89C58RC-40-I-QIF | 8-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, QCC40 |
| SST89E54RD2A-40-C-NJE | 8-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PQCC44 |
| SST89E58RD2-40-C-PIE | 8-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP40 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST85LD1004M-60-PC-LBTE | 功能描述:闪存 4GB NAND 60ns 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST85LD1004T-60-RI-LBTE | 功能描述:闪存 4GB NAND 60ns 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST85LD1004T-60-RI-LCTE | 功能描述:闪存 4G NAND 60ns 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST85LD1004T-60-RI-LCTE-TM023 | 功能描述:闪存 4G NAND 60ns 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST85LD1004U-60-5I-LBTE | 功能描述:闪存 4G NAND 60ns 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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