- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录372324 > STB11NM80 (意法半导体) N-CHANNEL 800V - 0.35ohm - 11A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 MDmesh?Power MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | STB11NM80 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 800V - 0.35ohm - 11A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 MDmesh?Power MOSFET |
| 中文描述： | N沟道800V的- 0.35ohm - 11A条TO-220/FP/D2PAK/TO-247的MDmesh？功率MOSFET |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 195K |
| 代理商： | STB11NM80 |
STP11NM60 / STP11NM60FP / STB11NM60 / STB11NM60-1
6/12
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test Circuit For
Resistive Load
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB130NH02L | N-CHANNEL 24V - 0.0034 OHM - 120A D2PAK STRIPFET III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION |
| STB130NH02LT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 90A I(D) | TO-263AB |
| STB13NK60Z-1 | N-CHANNEL 600V-0.48ohm-13A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
| STB13NK60 | N-CHANNEL 600V-0.48ohm-13A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
| STB13NK60Z | N-CHANNEL 600V-0.48ohm-13A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STB11NM80_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 800 V - 0.35 ヘ - 11 A - TO-220/FP- D2PAK - TO-247 MDmesh⑩ Power MOSFET |
| STB11NM80T4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STB12-0-0 | 制造商:TE Connectivity 功能描述:CABLE MARKER E SIZE12 0 PK30 制造商:TE Connectivity 功能描述:CABLE MARKER, E, SIZE12, 0, PK30 制造商:TE Connectivity 功能描述:CABLE MARKER, E, SIZE12, 0, PK30, Cable Diameter Min:4.5mm, Cable Diameter Max:6 |
| STB120N4F6 | 功能描述:MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STB120N4LF6 | 功能描述:MOSFET N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。