型号: | STB11NM80 |
厂商: | 意法半导体 |
英文描述: | N-CHANNEL 800V - 0.35ohm - 11A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 MDmesh?Power MOSFET |
中文描述: | N沟道800V的- 0.35ohm - 11A条TO-220/FP/D2PAK/TO-247的MDmesh?功率MOSFET |
文件页数: | 9/12页 |
文件大小: | 195K |
代理商: | STB11NM80 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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STB12-0-0 | 制造商:TE Connectivity 功能描述:CABLE MARKER E SIZE12 0 PK30 制造商:TE Connectivity 功能描述:CABLE MARKER, E, SIZE12, 0, PK30 制造商:TE Connectivity 功能描述:CABLE MARKER, E, SIZE12, 0, PK30, Cable Diameter Min:4.5mm, Cable Diameter Max:6 |
STB120N4F6 | 功能描述:MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
STB120N4LF6 | 功能描述:MOSFET N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |