参数资料
型号: STB80NF55-06T4
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
中文描述: 晶体管| MOSFET的| N沟道| 55V的五(巴西)直| 80A条(丁)|对263AB
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代理商: STB80NF55-06T4
5/9
STP80NF55L-08 - STB80NF55L-08 - STB80NF55L-08-1
DIM.
mm.
TYP
inch
TYP.
MIN.
4.40
0.61
1.15
0.49
15.25
10
2.40
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1.23
6.20
2.40
13
3.50
MAX.
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0.88
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0.70
15.75
10.40
2.70
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6.60
2.72
14
3.93
MIN.
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A
b
b1
c
D
E
e
e1
F
H1
J1
L
L1
L20
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P
Q
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0.104
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0.116
TO-220 MECHANICAL DATA
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PDF描述
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STB80NF55-08AG 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 55V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):112nC @ 10V Vgs(最大值):- FET 功能:- 功率耗散(最大值):300W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):- 工作温度:- 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1