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参数资料
| 型号： | STB80NF55-06T4 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 55V的五（巴西）直| 80A条（丁）|对263AB |
| 文件页数： | 9/9页 |
| 文件大小： | 339K |
| 代理商： | STB80NF55-06T4 |
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STP80NF55L-08 - STB80NF55L-08 - STB80NF55L-08-1
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB80NF55-07 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
| STB80NF55-08T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
| STB80NF55L06 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
| STB80NF55L06T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
| STB80NE03L06T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STB80NF55-07 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
| STB80NF55-08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 55V - 0.0065 ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET |
| STB80NF55-08_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 55 V - 0.0065 Ω - 80 A - TO-220 - D2PAK - TO-247 STripFET? Power MOSFET |
| STB80NF55-08-1 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:STripFET™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| STB80NF55-08AG | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 55V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:112nC @ 10V Vgs（最大值）:- FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 |
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