- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录372330 > STD5NE10LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | STD5NE10LT4 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 100V的五（巴西）直| 5A条（丁）|对252AA |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | STD5NE10LT4 |
3/8
STD5N20
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
t
d(on)
SWITCHING OFF
Symbol
t
r(Voff)
t
f
t
c
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 100 V, I
D
= 3 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(see test circuit, Figure 3)
Min.
Typ.
Max.
Unit
Turn-on Delay Time
18
ns
t
r
Rise Time
30
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
V
DD
= 160V, I
D
= 6 A,
V
GS
= 10V
19
27
nC
Gate-Source Charge
4.5
nC
Gate-Drain Charge
7.5
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 160V, I
D
= 6 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 5)
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off-voltage Rise Time
40
ns
Fall Time
10
ns
Cross-over Time
65
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
6
A
Source-drain Current (pulsed)
24
A
Forward On Voltage
I
SD
= 6 A, V
GS
= 0
I
SD
=6 A, di/dt = 100A/
μ
s
V
DD
= 100V, T
j
= 150
°
C
(see test circuit, Figure 5)
1.5
V
Reverse Recovery Time
155
ns
Reverse Recovery Charge
700
nC
Reverse Recovery Current
9
A
Thermal Impedance
Safe Operating Area
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STD5NE10T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA |
| STD5NK50ZT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4.4A I(D) | TO-252AA |
| STD7NB20T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-252AA |
| STD7NK40ZT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.4A I(D) | TO-252AA |
| STD7NS20T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STD5NE10T4 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| STD5NK40Z | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 400V 3A DPAK |
| STD5NK40Z-1 | 功能描述:MOSFET N-Ch 400 Volt 3.0 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STD5NK40Z-1 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N I-PAK |
| STD5NK40ZT4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 400 Volt 3 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。