型号: | STD5NE10LT4 |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA |
中文描述: | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 100V的五(巴西)直| 5A条(丁)|对252AA |
文件页数: | 7/8页 |
文件大小: | 87K |
代理商: | STD5NE10LT4 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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STD5NE10T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA |
STD5NK50ZT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4.4A I(D) | TO-252AA |
STD7NB20T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-252AA |
STD7NK40ZT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.4A I(D) | TO-252AA |
STD7NS20T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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STD5NE10T4 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
STD5NK40Z | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 400V 3A DPAK |
STD5NK40Z-1 | 功能描述:MOSFET N-Ch 400 Volt 3.0 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
STD5NK40Z-1 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N I-PAK |
STD5NK40ZT4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 400 Volt 3 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |