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参数资料
| 型号： | STD7NB20T4 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-252AA |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 200伏五（巴西）直| 7A条（丁）|对252AA |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 163K |
| 代理商： | STD7NB20T4 |
STD7NB20 / STD7NB20-1
8/10
DIM.
mm
inch
MIN.
2.2
0.9
TYP.
MAX.
2.4
1.1
MIN.
0.086
0.035
TYP.
MAX.
0.094
0.043
A
A1
A3
B
0.7
0.64
1.3
0.9
0.027
0.025
0.051
0.031
B2
B3
5.2
5.4
0.85
0.204
0.212
0.033
B5
B6
C
0.3
0.012
0.95
0.6
0.037
0.023
0.45
0.017
C2
D
0.48
6
0.6
6.2
0.019
0.236
0.023
0.244
E
G
H
6.4
4.4
15.9
6.6
4.6
16.3
0.252
0.173
0.626
0.260
0.181
0.641
L
9
9.4
1.2
0.354
0.031
0.370
0.047
L1
0.8
L2
0.8
1
0.031
0.039
A
C
C
A
H
A
D
L
L2
L1
1
3
=
=
B
B
B
B
E
G
=
=
=
=
B
2
TO-251 (IPAK) MECHANICAL DATA
0068771-E
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STD7NK40ZT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.4A I(D) | TO-252AA |
| STD7NS20T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-252AA |
| STD80 | STD80 0.5 Micron STD80 Standard Cell Library|Data Sheet |
| STD83003-1 | BJT |
| STD83003T4 | BJT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STD7NK30Z | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STD7NK40 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 400V-0.85ohm-5.4A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
| STD7NK40Z | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 400V-0.85ohm-5.4A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
| STD7NK40Z-1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 400V-0.85ohm-5.4A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
| STD7NK40ZT4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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