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参数资料
| 型号： | STGW20NB60HD |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 20A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
| 中文描述： | N沟道20A条- 600V到- 247 PowerMESH IGBT的 |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | STGW20NB60HD |
Switching Off SafeOperating Area
Diode Forward Voltage
Fig. 1
: Gate Charge test Circuit
Fig. 3
: SwitchingWaveforms
Fig. 2
: TestCircuit For InductiveLoad Switching
STGW20NB60HD
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STGW20NB60KD | N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH? IGBT |
| STGW20NB60H | N-CHANNEL 20A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
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| STGW30NB60HD | N-CHANNEL 30A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
| STGW50NB60H | N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STGW20NB60K | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 40A 3PIN TO-247 - Rail/Tube |
| STGW20NB60KD | 功能描述:IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| STGW20NC60V | 功能描述:IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 30 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| STGW20NC60VD | 功能描述:IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 30 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| STGW20V60DF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:+/- 20 V 在25 C的连续集电极电流:40 A 栅极—射极漏泄电流:250 nA 功率耗散:167 W 最大工作温度:+ 175 C 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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