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参数资料
| 型号： | STP5NK65Z |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | JFET; Breakdown Voltage, V(br)gss:-25V; Zero Gate Voltage Drain Current Min, Idss:100mA; Gate-Source Cutoff Voltage Max, Vgs(off):-9V; Continuous Drain Current, Id:100mA; Current Rating:100mA; Gate-Source Breakdown Voltage:-25V RoHS Compliant: No |
| 中文描述： | N沟道?650V - 1.5ohm - 5A至- 220齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 286K |
| 代理商： | STP5NK65Z |
STP5NK65Z
8/9
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.40
4.60
0.173
0.181
C
1.23
1.32
0.048
0.051
D
2.40
2.72
0.094
0.107
D1
1.27
0.050
E
0.49
0.70
0.019
0.027
F
0.61
0.88
0.024
0.034
F1
1.14
1.70
0.044
0.067
F2
1.14
1.70
0.044
0.067
G
4.95
5.15
0.194
0.203
G1
2.4
2.7
0.094
0.106
H2
10.0
10.40
0.393
0.409
L2
16.4
0.645
L4
13.0
14.0
0.511
0.551
L5
2.65
2.95
0.104
0.116
L6
15.25
15.75
0.600
0.620
L7
6.2
6.6
0.244
0.260
L9
3.5
3.93
0.137
0.154
DIA.
3.75
3.85
0.147
0.151
L6
A
C
D
E
D1
F
G
L7
L2
Dia.
F1
L5
L4
H2
L9
F2
G1
TO-220 MECHANICAL DATA
P011C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP6NB90FP | N - CHANNEL 900V - 1.7ohm - 5.8A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET |
| STP6X1MIG | INTERCONNECTION DEVICE |
| STP6X7MIG | INTERCONNECTION DEVICE |
| STPF1020CTN | 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| STPF1020CT | 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STP5NK65ZFP | 功能描述:MOSFET N-Channel 650V Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| STP5NK80ZFP | 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STP5NK80ZFP | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220FP |
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