- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录31384 > STPS8L30H (STMICROELECTRONICS) 8 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | STPS8L30H |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 8 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | LEAD FREE, IPAK-3 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 97K |
| 代理商： | STPS8L30H |
STPS8L30
Characteristics
3/7
Figure 3.
Normalized avalanche power
derating versus pulse duration
Figure 4.
Normalized avalanche power
derating versus junction
temperature
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(t )
P
(25°C)
ARM p
ARM
Figure 5.
Non repetitive surge peak
forward current versus overload
duration (maximum values)
Figure 6.
Relative variation of thermal
impedance junction to ambient
versus pulse duration
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
20
40
60
80
100
120
IM
t
δ=0.5
I (A)
M
t(s)
T =25°C
c
T =75°C
c
T =125°C
c
Z/R
th(j-c)
1E-4
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
δ=tp/T
tp
t (s)
p
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
Figure 7.
Reverse leakage current versus
reverse voltage applied (typical
values)
Figure 8.
Junction capacitance versus
reverse voltage applied (typical
values)
0
5
10
15
20
25
30
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
3E+2
I (mA)
R
V (V)
R
T =125°C
j
T =150°C
j
T =25°C
j
110
40
100
200
500
1000
2000
C(pF)
V (V)
R
F=1MHz
V
=30mV
T =25°C
OSC
RMS
j
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STPS8L30B-TR | 8 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STPSC1206D | 12 A, 600 V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| STTH10LCD06SG-TR | 10 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH10LCD06D | 10 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| STTH10LCD06SB-TR | 10 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STPSA42 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| STPSA42-AP | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| STPSA42N | 功能描述:两极晶体管 - BJT PWR BIP/S.SIGNAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| STPSA92 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| STPSA92-AP | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。