- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录31384 > STPS8L30H (STMICROELECTRONICS) 8 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | STPS8L30H |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 8 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | LEAD FREE, IPAK-3 |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 97K |
| 代理商： | STPS8L30H |
Packaging information
STPS8L30
4/7
2
Packaging information
Figure 9.
Forward voltage drop versus
forward current
Figure 10.
Thermal resistance junction to
ambient versus copper surface
under tab (epoxy printed board
FR4, Cu = 35 m) (DPAK)
I
(A)
FM
V
(V)
FM
T =25°C
(maximum values)
j
T =125°C
(maximum values)
j
T =150°C
(typical values)
j
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.1
1.0
10.0
100.0
02
46
8
10
12
14
16
18
20
0
20
40
60
80
100
R
(°C/W)
th(j-a)
S(mm)
Table 4.
DPAK dimensions
REF.
DIMENSIONS
Millimeters
Inches
Min.
Max
Min.
Max.
A
2.20
2.40
0.086
0.094
A1
0.90
1.10
0.035
0.043
A2
0.03
0.23
0.001
0.009
B
0.64
0.90
0.025
0.035
B2
5.20
5.40
0.204
0.212
C
0.45
0.60
0.017
0.023
C2
0.48
0.60
0.018
0.023
D
6.00
6.20
0.236
0.244
E
6.40
6.60
0.251
0.259
G
4.40
4.60
0.173
0.181
H
9.35
10.10
0.368
0.397
L2
0.80 typ.
0.031 typ.
L4
0.60
1.00
0.023
0.039
V2
0°
8°
0°
8°
H
L4
G
B
L2
E
B2
D
A1
R
C
A
C2
0.60 MIN.
V2
A2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STPS8L30B-TR | 8 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STPSC1206D | 12 A, 600 V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| STTH10LCD06SG-TR | 10 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH10LCD06D | 10 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| STTH10LCD06SB-TR | 10 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STPSA42 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| STPSA42-AP | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| STPSA42N | 功能描述:两极晶体管 - BJT PWR BIP/S.SIGNAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| STPSA92 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| STPSA92-AP | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。