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参数资料
| 型号： | STTH102RL |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 107K |
| 代理商： | STTH102RL |
STTH102
Characteristics
3/7
Figure 3.
Average forward current versus
ambient temperature (
δ = 0.5) (SMA)
Figure 4.
Average forward current versus
ambient temperature (
δ = 0.5)
(DO-41)
I
(A)
F(AV)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
25
50
75
100
125
150
175
R
=120°C/W
th(j-a)
R=R
th(j-a)
th(j-I)
T
δ=tp/T
tp
T
(°C)
amb
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
25
50
75
100
125
150
175
I
(A)
F(AV)
R
=110°C/W
th(j-a)
R=R
th(j-a)
th(j-I)
T
δ=tp/T
tp
T
(°C)
amb
Figure 5.
Relative variation of thermal
impedance junction to ambient
versus pulse duration (epoxy
printed circuit board, e(Cu) = 35 m,
recommended pad layout) (SMA)
Figure 6.
Relative variation of thermal
impedance junction to ambient
versus pulse duration (DO-41)
Z/R
th(j-c)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
T
δ=tp/T
tp
t (s)
p
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
Z/R
th(j-c)
T
δ=tp/T
tp
t (s)
p
Figure 7.
Forward voltage drop versus
forward current
Figure 8.
Junction capacitance versus
reverse voltage applied
(typical values)
0.1
1.0
10.0
100.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
I
(A)
FM
V
(V)
FM
T =125°C
(maximum values)
j
T =125°C
(typical values)
j
T =25°C
(maximum values)
j
1
10
100
1
10
100
1000
C(pF)
F=1MHz
V
=30mV
T =25°C
OSC
RMS
j
V (V)
R
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