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参数资料
| 型号： | STTH102RL |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 107K |
| 代理商： | STTH102RL |
Characteristics
STTH102
4/7
Figure 9.
Reverse recovery time versus dIF/dt
(90% confidence)
Figure 10.
Peak recovery current versus dIF/dt
(90% confidence)
0
10
20
30
40
50
60
70
1
10
100
1000
t (ns)
rr
dI /dt(A/s)
F
I =1A
F
V =100V
T =125°C
R
j
T =125°C
j
T =25°C
j
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
1
10
100
1000
I
(A)
RM
dI /dt(A/s)
F
I =1A
F
V =100V
T =125°C
R
j
T =125°C
j
T =25°C
j
Figure 11.
Reverse recovery charges versus
dIF/dt (90% confidence)
Figure 12.
Relative variations of dynamic
parameters versus junction
temperature
0.0
2.5
5.0
7.5
10.0
12.5
15.0
17.5
20.0
22.5
25.0
27.5
30.0
32.5
35.0
1
10
100
1000
Q (nC)
rr
dI /dt(A/s)
F
I =1A
F
V =100V
R
T =125°C
j
T =25°C
j
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
25
50
75
100
125
150
175
I; t ; Q
[T ] /
RM
rr
j
I
; t ; Q
[T =25°C]
RM
rr
j
T (°C)
j
IRM
trr
QRR
I=I
dI /dt=200A/s
F
F(AV)
F
V =100V
R
Figure 13.
Thermal resistance junction to
ambient versus copper surface
under each lead (Epoxy printed
circuit board FR4, copper
thickness: 35 m) (SMA)
Figure 14.
Thermal resistance versus
lead length (DO-41)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
R
(°C/W)
th(j-a)
S(cm)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
5
10
152025
R (°C/W)
th
L
(mm)
leads
Rth(j-I)
Rth(j-a)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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