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参数资料
| 型号： | STTH1302CFP |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 6.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | TO-220FPAB, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | STTH1302CFP |
STTH1302CT/CG/CFP
2/7
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth (j-c)
Junction to case
TO-220AB / D
2PAK
Per diode
3
°C/W
TO-220FPAB
5.5
TO-220AB / D
2PAK
Total
1.9
°C/W
TO-220FPAB
4.5
Rth (c)
Coupling
TO-220AB / D
2PAK
0.8
°C/W
TO-220FPAB
3.5
THERMAL RESISTANCES
Symbol
Parameter
Tests Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR *
Reverse leakage Current
Tj = 25°C
VR =VRRM
6
A
Tj = 125°C
3
60
VF**
Forward Voltage drop
Tj = 25°C
IF = 6.5 A
1.1
V
Tj = 125°C
IF = 6.5 A
0.81
0.95
Tj = 25°C
IF = 13 A
1.25
Tj = 125°C
IF = 13 A
0.95
1.1
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (per diode)
Pulse test :
* tp=5ms,
δ <2%
** tp = 380
s, δ <2%
To evaluate the conduction losses use the following equation :
P=0.80xIF(AV) + 0.023 x IF
2
(RMS)
When the diodes 1 and 2 are used simultaneously :
Tj(diode 1) = P(diode1) x Rth(j-c)(Per diode) + P(diode 2) x Rth(c)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
trr
Reverse recovery time
Tj = 25°C
IF = 0.5 A
Irr = 0.25 A
IR =1A
16
25
ns
tfr
Forward recovery time
Tj = 25°C
IF = 6.5 A
dIF/dt = 100 A/s
VFR =1.1xVF max
70
ns
VFP
Forward recovery voltage
Tj = 25°C
IF = 6.5 A
dIF/dt = 100 A/s
2.2
V
DYNAMIC CHARACTERISTICS (per diode)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| STTH1302XXX | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE |
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