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参数资料
| 型号： | STTH1302CFP |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 6.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | TO-220FPAB, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | STTH1302CFP |
STTH1302CT/CG/CFP
3/7
P
(W)
F(AV)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
012
3456
78
I
(A)
F(AV)
δ = 0.05
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
δ = 1
T
δ=tp/T
tp
Fig. 1: Average forward power dissipation versus
average forward current (per diode).
0.1
1.0
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
T
δ=tp/T
tp
tp(s)
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
Zth
/ Rth
(j-c)
Fig. 4-2:
Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration (TO-220FPAB).
0.1
1.0
10.0
100.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
V
(V)
FM
T =125°C
Typical values
j
T =25°C
Maximum values
j
I
(A)
FM
T =125°C
Maximum values
j
Fig. 3: Forward voltage drop versus forward cur-
rent (per diode).
0
10
20
30
40
50
60
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
P=5W
P=2W
P=10W
I (A)
M
δ
T
δ=tp/T
tp
IM
Fig. 2: Peak current versus factor (per diode).
Zth
/ Rth
(j-c)
0.1
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
T
δ=tp/T
tp
tp(s)
Fig. 4-1:
Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration (TO-220AB /
D
2PAK).
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
t(s)
T =25°C
C
T =75°C
C
T =125°C
C
I (A)
M
IM
t
δ=0.5
Fig. 5-1: Non repetitive surge peak forward cur-
rent
versus
overload
duration
per
diode
(TO-220AB / D
2PAK).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| SUES2603HR | 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STTH1302CG | 功能描述:整流器 2X6.5 Amp 200 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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| STTH1302CT_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE |
| STTH1302XXX | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE |
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