参数资料
型号: STTH1302CFP
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 整流器
英文描述: 6.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封装: TO-220FPAB, 3 PIN
文件页数: 4/7页
文件大小: 112K
代理商: STTH1302CFP
STTH1302CT/CG/CFP
4/7
0
10
20
30
40
50
60
70
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
t(s)
T =25°C
C
T =75°C
C
T =125°C
C
I (A)
M
IM
t
δ=0.5
Fig. 5-2: Non repetitive surge peak forward current
versus
overload
duration
per
diode
(TO-220FPAB).
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10
100
1000
trr(ns)
Tj=25°C
T =125°C
j
I =6.5A
V =100V
F
R
dI /dt(A/s)
F
Fig. 9: Reverse recovery time versus dIF/dt (90%
confidence, per diode).
10
100
1
10
100
1000
V (V)
R
F=1MHz
V
=30V
Tj=25°C
OSC
RMS
C(nF)
Fig. 7:
Junction capacitance versus reverse
voltage applied (typical values, per diode).
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
25
50
75
100
125
150
175
T
(°C)
amb
Rth
=Rth
(j-a)
(j-c)
DPAK (S=1cm)
Rth
=50°C/W
(j-a)
TO-220AB/DPAK
TO-220FPAB
I
(A)
F(AV)
Fig. 6: Average forward current versus ambient tem-
perature (
δ=0.5, per diode).
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
10
100
1000
dI /dt(A/s)
F
Q
(nC)
RR
I =6.5A
V =200V
F
R
T =125°C
j
Tj=25°C
Fig. 8: Reverse recovery charges versus dIF/dt
(90% confidence, per diode).
0
2
4
6
8
10
12
10
100
1000
I
(A)
RM
Tj=25°C
T =125°C
j
I =6.5A
V =100V
F
R
dI /dt(A/s)
F
Fig. 10: Reverse recovery current versus dIF/dt
(90% confidence, per diode).
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PDF描述
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参数描述
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