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参数资料
| 型号： | STTH5R06G |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, DPAK-3 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 96K |
| 代理商： | STTH5R06G |
STTH5R06D/FP/B/G
3/8
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
tp(s)
T
δ=tp/T
tp
Zth(j-c)/Rth(j-c)
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
Fig. 3-1: Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration (TO-220AC,
DPAK).
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
200
400
600
800
1000
dIF/dt(A/
s)
VR=400V
Tj=125
°C
IF=IF(av)
IF=0.5 x IF(av)
IF=2 x IF(av)
trr(ns)
Fig. 5:
Reverse recovery time versus dIF/dt
(90% confidence).
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
0
200
400
600
800
1000
dIF/dt(A/
s)
VR=400V
Tj=125
°C
IF=2 x IF(av)
IF=0.5 x IF(av)
IF=IF(av)
IF=0.25 x IF(av)
IRM(A)
Fig. 4:
Peak reverse recovery current versus
dIF/dt (90% confidence).
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
T
δ=tp/T
tp
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
Fig. 3-2: Relative variation of thermal impedance
junction
to
case
versus
pulse
duration
(TO-220FPAC).
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
0.55
0.60
0.65
0.70
0
200
400
600
800
1000
dIF/dt(A/
s)
IF=IF(av)
VR=400V
Tj=125
°C
S factor
Fig. 7:
Softness factor versus dIF/dt (typical
values).
0
50
100
150
200
250
300
350
0
200
400
600
800
1000
dIF/dt(A/
s)
VR=400V
Tj=125
°C
IF=IF(av)
IF=0.5 x IF(av)
IF=2 x IF(av)
Qrr(nC)
Fig. 6: Reverse recovery charges versus dIF/dt
(90% confidence).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STZ6.2N | 6.1 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| SUF15G | 1.5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SUM8.2FSMS | 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SUM8.2FSMSTXV | 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SUM8.2FTXV | 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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