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参数资料
| 型号： | SUD19N20-90-T4-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 200V TO252 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 51nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD19N20-90
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
3.0
2.5
V GS = 10 V
I D = 5 A
100
2.0
T J = 150 °C
1.5
10
1.0
T J = 25 °C
0.5
0.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T J - J u nction Temperat u re ( °C )
On-Resistance vs. Junction Temperature
THERMAL RATINGS
25
100
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
20
Limited b y R DS(on) *
10 μ s
100 μ s
10
15
1 ms
10
1
10 ms
5
T C = 25 °C
Single P u lse
100 ms
1 s, DC
0
0
25
50 75 100 125
150
175
0.1
0 . 1
1
1 0
100
1 0 0 0
2
1
0.1
T C - Case Temperat u re (°C)
Maximum Avalanche Drain Current
vs. Case Temperature
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area
0.01
10- 4
10- 3
10- 2
10- 1
1
10
30
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?71767 .
www.vishay.com
4
Document Number: 71767
S10-2245-Rev. E, 04-Oct-10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUD19P06-60L-E3 | MOSFET P-CH D-S 60V TO252 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUD19P06-60 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
| SUD19P06-60-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 19A 38.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD19P06-60-GE3 | 功能描述:MOSFET 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD19P06-60-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET -60V 19A TO-252 |
| SUD19P06-60L | 制造商:VAISH 制造商全称:VAISH 功能描述:P-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET |
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