参数资料
型号: SUD23N06-31-T4-GE3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 8/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH D-S 60V TO252
标准包装: 2,500
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 21.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 31 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 670pF @ 25V
功率 - 最大: 31.25W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: TO-252,(D-Pak)
包装: 带卷 (TR)
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR DPAK (TO-252)
0.224
(5.690)
0.180
(4.572)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
0.055
(1.397)
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Document Number: 72594
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
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PDF描述
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