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参数资料
| 型号： | SUD50NP04-77P-T4E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 13/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 40V TO252-4 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 37 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 640pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 10.8W，24W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD |
| 供应商设备封装： | TO-252-4L |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Application Note 826
Vishay Siliconix
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4
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Dimensions in mm/(Inches)
Keep-o u t 8 .6 (0.339) x 12.2 (0.4 8 0)
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Document Number: 69047
Revision: 04-Nov-08
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUD50NP04-77P-T4-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 8.0A 10.8/24W 37/40mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50NP04-94-T4-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 8.0A 13.2/15.6W 41/53mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50P04-08 | 制造商:SHENZHENFREESCALE 制造商全称:ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd 功能描述:P-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SUD50P04-08-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 50A P-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50P04-08-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P CH -40V -50A TO-252-3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, P CH, -40V, -50A, TO-252-3 |
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