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参数资料
| 型号： | SUD50NP04-77P-T4E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 40V TO252-4 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 37 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 640pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 10.8W，24W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD |
| 供应商设备封装： | TO-252-4L |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SUD50NP04-77P
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
t 1
t 2
0.1
0.1
0.05
0.02
N otes:
P DM
t 1
t 2
1. D u ty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 60 °C/ W
0.01
Single P u lse
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
1000
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.01
0.02
Single Pulse
0.05
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
1 0
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Document Number: 73989
S-80109-Rev. B, 21-Jan-08
www.vishay.com
7
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| SUD50P04-08-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P CH -40V -50A TO-252-3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, P CH, -40V, -50A, TO-252-3 |
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