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参数资料
| 型号： | SUM110P08-11L-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 80V 110A D2PAK |
| 产品目录绘图： | SUB, SUM Series |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.2 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 270nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10850pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 375W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1664 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SUM110P08-11L-E3DKR |
New Product
SUM110P08-11
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
200
180
160
V GS = 10 V thru 6V
40
30
140
120
100
80
20
25 °C
60
10
40
20
0
4V
0
T C = 125 °C
- 55 °C
1
2
3
0
1
2
3
4
5
0.020
V DS - (V)
Output Characteristics
15000
V GS - (V)
Transfer Characteristics
0.016
0.012
0.008
0.004
0.000
V GS = 6 V
V GS = 10 V
12000
9000
6000
3000
0
C oss
C rss
C iss
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
10.0
I D - (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2.5
I D = 20 A
V DS - (V)
Capacitance
8.0
6.0
V DS = 40 V
2.1
1.7
V GS = 10 V
4.0
2.0
0.0
V DS = 64 V
1.3
0.9
0.5
0.0
40.0
80.0
120.0
160.0
200.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
Document Number: 73472
S-70309-Rev. B, 12-Feb-07
Q g - (nC)
Gate Charge
T J - (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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