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参数资料
| 型号： | SUM110P08-11L-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 80V 110A D2PAK |
| 产品目录绘图： | SUB, SUM Series |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.2 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 270nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10850pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 375W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1664 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SUM110P08-11L-E3DKR |
New Product
SUM110P08-11
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.05
0.04
10
T J = 150 °C
25 °C
0.03
150 °C
0.02
0.01
25 °C
1
0.00
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
2
4
6
8
10
1.1
V SD - (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
6000
V GS - (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.8
0.5
I D = 1 mA
5000
4000
3000
0.2
2000
- 0.1
1000
- 0.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.0001
0.001
0.01
0.10
1
400
T J - (°C)
Threshold Voltage
Time (sec)
Single Pulse Power, Junction-to-Case (T C = 25 °C)
1000
350
300
100
*Limited by r DS(on)
10 μ s
100 μ s
250
200
10
1 ms
10 ms
150
100
1
Single pulse
100 ms, DC
50
0
0.1
T C = 25 °C
25
50
75
100
125
150
175
0.1
1 10
100
www.vishay.com
4
T C
Power Derating (Junction-to-Case)
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
*V GS > minimum V GS at which r DS(on) is specified
Safe Operating Area
Document Number: 73472
S-70309-Rev. B, 12-Feb-07
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUM110P08-11L-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET -80V 11A TO-263 |
| SUM1500RMXL2U | 功能描述:UPS - 不间断电源 APC Smart-UPS XL Rackmount/Tower RoHS:否 制造商:Phoenix Contact 功率额定值: 输出电压额定值:24 V 出口数量:2 运行时间（满载）: 运行时间（半载）: |
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| SUM16N20-125 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 200-V (D-S) 175C MOSFET |
| SUM18N25-165 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 250-V (D-S) 175C MOSFET |
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