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参数资料
| 型号： | SUM110P08-11L-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 80V 110A D2PAK |
| 产品目录绘图： | SUB, SUM Series |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.2 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 270nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10850pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 375W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1664 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SUM110P08-11L-E3DKR |
New Product
SUM110P08-11
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1000
120
100
90
Package Limited
10
60
30
0
1
0.1
0
25
50
75
100
125
150
175
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1.0
1
T C - (°C)
Max Avalanche and Drain Current
vs. Case Temperature
0.5
0.2
0.1
tin - (Sec)
Avalanche Current vs. Time
0.1
0.05
0.02
Single
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
*The power dissipation P D is based on T J(max) = 175 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper dissi-
pation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package limit.
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon Tech-
nology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and reliability
data, see http://www.vishay.com/ppg?73472.
Document Number: 73472
S-70309-Rev. B, 12-Feb-07
www.vishay.com
5
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUM110P08-11L-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET -80V 11A TO-263 |
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