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参数资料
| 型号： | SUM70N03-09CP-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 70A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUM70N03-09CP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 _ C UNLESS NOTED)
100
Transconductance
0.05
On-Resistance vs. Drain Current
80
60
T C = ? 55 _ C
25 _ C
125 _ C
0.04
0.03
40
20
0
0.02
0.01
0.00
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0
10
20
30
40
50
0
20
40
60
80
100
I D ? Drain Current (A)
I D ? Drain Current (A)
3000
2500
Capacitance
C iss
10
8
V DS = 15 V
I D = 30 A
Gate Charge
2000
6
1500
4
1000
500
0
C rss
C oss
2
0
0
5
10
15
20
25
30
0
6
12
18
24
30
V DS ? Drain-to-Source Voltage (V)
Q g ? Total Gate Charge (nC)
2.0
1.6
1.2
On-Resistance vs. Junction Temperature
V GS = 10 V
I D = 30 A
100
Source-Drain Diode Forward Voltage
T J = 150 _ C
T J = 25 _ C
10
0.8
0.4
0.0
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T J ? Junction Temperature ( _ C)
Document Number: 71943
S-32523—Rev. D, 08-Dec-03
V SD ? Source-to-Drain Voltage (V)
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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