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参数资料
| 型号： | SUM70N03-09CP-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 70A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUM70N03-09CP
Vishay Siliconix
THERMAL RATINGS
90
Maximum Drain Current vs.
Ambiemt Temperature
1000
Safe Operating Area
75
100
Limited
by r DS(on)
10, 100 m s
60
45
10
1 ms
10 ms
30
1
100 ms
1s
10 s
15
0.1
T A = 25 _ C
Single Pulse
100 s
dc
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0.1
1
10
100
T A ? Ambient Temperature ( _ C)
V DS ? Drain-to-Source Voltage (V)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
2
1
0.1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.02
0.05
Single Pulse
0.01
10 ? 4
10 ? 3
10 ? 2
10 ? 1
1
10
100
Square Wave Pulse Duration (sec)
www.vishay.com
4
Document Number: 71943
S-32523—Rev. D, 08-Dec-03
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUM85N03-06P-E3 | MOSFET N-CH D-S 30V D2PAK |
| SUM90N06-5M5P-E3 | MOSFET N-CH D-S 60V D2PAK |
| SUM90N08-6M2P-E3 | MOSFET N-CH D-S 75V D2PAK |
| SUM90N08-7M6P-E3 | MOSFET N-CH D-S 75V D2PAK |
| SUM90N10-8M2P-E3 | MOSFET N-CH D-S 100V D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUM70N04-07L | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET |
| SUM70N04-07L_08 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) 175 Celsius MOSFET |
| SUM70N04-07L-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 70A 100W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM70N06-09L-E3 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: |
| SUM70N06-11 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N D2-PAK |
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