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参数资料
| 型号： | SUM90N08-7M6P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 75V D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.6 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3528pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUM90N08-7m6P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
25 °C, unless otherwise noted
1000
100
Limited by R DS(on) *
10
1
100 μs
1 ms
10 ms, 100 ms
1 s, 10 s, DC
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
BVDSS
10
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.01
0.1
1
10
100
t in (s)
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Single Pulse Avalanche Current Capability vs. Time
* V GS
minim u m V GS at w hich r DS(on) is specified
Safe Operating Area
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.1
0.02
Single P u lse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see http://www.vishay.com/ppg?69578.
Document Number: 69578
S-80799-Rev. B, 14-Apr-08
www.vishay.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUM90N10-8M2P-E3 | MOSFET N-CH D-S 100V D2PAK |
| SUP18N15-95-E3 | MOSFET N-CH 150V 18A TO220-3 |
| SUP28N15-52-E3 | MOSFET N-CH D-S 150V TO220AB |
| SUP40P10-43-GE3 | MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB |
| SUP45N03-13L-E3 | MOSFET N-CH D-S 30V TO220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUM90N10-8M2P | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100-V (D-S) MOSFET |
| SUM90N10-8M2P-E3 | 功能描述:MOSFET 100V 90A 300W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM90P10-19-E3 | 功能描述:MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM90P10-19L | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 100-V (D-S) MOSFET |
| SUM90P10-19L_08 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 100-V (D-S) MOSFET |
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