- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录527 > SUP75N03-04-E3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH D-S 30V TO220AB Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SUP75N03-04-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V TO220AB |
| 标准包装： | 500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10742pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.7W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUP/SUB75N03-04
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
250
V GS = 10, 9, 8, 7, 6, 5 V
200
200
4V
150
150
100
100
50
3V
50
T C = 125 °C
25 °C
- 55 °C
0
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
175
150
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
T C = - 55 °C
25 °C
0.008
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
125
100
125 °C
0.006
V GS = 4.5 V
0.004
75
V GS = 10 V
50
0.002
25
0
0.000
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100
120
14000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transconductance
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
12000
C iss
16
V DS = 30 V
I D = 75 A
10000
8000
6000
4000
12
8
2000
0
C rss
C oss
4
0
0
6
12
18
24
30
0
100
200
300
400
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
Document Number: 70745
S-62484-Rev. F, 04-Dec-06
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUP75P03-07-E3 | MOSFET P-CH D-S 30V TO220AB |
| SUP90N08-7M7P-E3 | MOSFET N-CH D-S 75V TO220AB |
| SUP90P06-09L-E3 | MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB |
| SUV85N10-10-E3 | MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB |
| SV-LED-125E | HEATSINK DEGREASED 25.4MM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUP75N03-07 | 功能描述:MOSFET 30V 75A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUP75N04-05L | 功能描述:MOSFET 40V 75A 130W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUP75N04-05L-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 75A 130W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUP75N04-05L-T1-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 40V, 75A, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Dr |
| SUP75N05-06 | 功能描述:MOSFET 50V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。