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参数资料
| 型号： | SUP75P03-07-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 30V TO220AB |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 240nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
SUB75P03-07, SUP75P03-07
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
1.8
1.5
V GS = 10 V
I D = 30 A
100
T J = 150 °C
1.2
0.9
10
0.6
T J = 25 °C
0.3
0
1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1000
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
45
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
100
10
1
0.1
I AV (A) at T A = 150 °C
I AV (A) at T A = 25 °C
40
35
30
25
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
www.vishay.com
4
t in (s)
Avalanche Current vs. Time
T J - Junction Temperature (°C)
Drain Source Breakdown
vs. Junction Temperature
Document Number: 71109
S10-2429-Rev. E, 25-Oct-10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUP90N08-7M7P-E3 | MOSFET N-CH D-S 75V TO220AB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUP75P03-08 | 功能描述:MOSFET 30V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUP75P03-08-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUP75P05-08 | 功能描述:MOSFET 55V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUP75P05-08 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P TO-220 |
| SUP75P05-08-E3 | 功能描述:MOSFET 55V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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