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参数资料
型号： SZMMBZ5230BLT1
厂商： ON SEMICONDUCTOR
元件分类： 参考电压二极管
英文描述： 4.7 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
封装： PLASTIC, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件页数： 2/6页
文件大小： 72K
代理商： SZMMBZ5230BLT1
MMBZ5221BLT1 Series
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Pinout: 1-Anode, 2-No Connection, 3-Cathode) (TA = 25°C
unless otherwise noted, VF = 0.95 V Max. @ IF = 10 mA)
Symbol
Parameter
VZ
Reverse Zener Voltage @ IZT
IZT
Reverse Current
ZZT
Maximum Zener Impedance @ IZT
IZK
Reverse Current
ZZK
Maximum Zener Impedance @ IZK
IR
Reverse Leakage Current @ VR
VR
Reverse Voltage
IF
Forward Current
VF
Forward Voltage @ IF
Zener Voltage Regulator
IF
V
I
IR
IZT
VR
VZ
VF
相关PDF资料
PDF描述
SMMBD301LT1 SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB
SMBG13C/51 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG14/51 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG20CA/52 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG28A/52 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
相关代理商/技术参数
参数描述
SZMMBZ5230BLT1G 功能描述:稳压二极管 ZEN REG .225W 4.7V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
SZMMBZ5231BLT1 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
SZMMBZ5231BLT1G 功能描述:稳压二极管 ZEN REG .225W 5.1V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
SZMMBZ5231BLT3G 功能描述:稳压二极管 ZEN REG .225W 5.1V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
SZMMBZ5232BLT1 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
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