参数资料
型号: SZMMBZ5230BLT1
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 4.7 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
封装: PLASTIC, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件页数: 5/6页
文件大小: 72K
代理商: SZMMBZ5230BLT1
MMBZ5221BLT1 Series
http://onsemi.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
100
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Figure 5. Typical Capacitance
1000
100
10
1
10
1
BIAS AT
50% OF VZ NOM
TA = 25°C
0 V BIAS
1 V BIAS
12
VZ, ZENER VOLTAGE (V)
100
10
1
0.1
0.01
10
8
6
4
2
0
TA = 25°C
I Z
,ZENER
CURRENT
(mA)
VZ, ZENER VOLTAGE (V)
100
10
1
0.1
0.0110
30
50
70
90
TA = 25°C
I R
,LEAKAGE
CURRENT
(
A)μ
90
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Figure 6. Typical Leakage Current
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
80
70
60
50
40
30
20
10
0
+150
°C
+25
°C
55
°C
I Z
,ZENER
CURRENT
(mA)
Figure 7. Zener Voltage versus Zener Current
(VZ Up to 12 V)
Figure 8. Zener Voltage versus Zener Current
(12 V to 91 V)
相关PDF资料
PDF描述
SMMBD301LT1 SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB
SMBG13C/51 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG14/51 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG20CA/52 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG28A/52 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
相关代理商/技术参数
参数描述
SZMMBZ5230BLT1G 功能描述:稳压二极管 ZEN REG .225W 4.7V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
SZMMBZ5231BLT1 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
SZMMBZ5231BLT1G 功能描述:稳压二极管 ZEN REG .225W 5.1V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
SZMMBZ5231BLT3G 功能描述:稳压二极管 ZEN REG .225W 5.1V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
SZMMBZ5232BLT1 制造商:ON Semiconductor 功能描述: