参数资料
型号: SZMMBZ5230BLT1
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 4.7 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
封装: PLASTIC, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件页数: 4/6页
文件大小: 72K
代理商: SZMMBZ5230BLT1
MMBZ5221BLT1 Series
http://onsemi.com
4
TYPICAL CHARACTERISTICS
VZ
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
C)°
θ
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
3
2
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
Figure 1. Temperature Coefficients
(Temperature Range 55
°C to +150°C)
TYPICAL TC VALUES
FOR MMBZ5221BLT1 SERIES
VZ @ IZT
VZ
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
C)°
θ
100
10
1
10
100
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Figure 2. Temperature Coefficients
(Temperature Range 55
°C to +150°C)
TYPICAL TC VALUES
FOR MMBZ5221BLT1 SERIES
VZ @ IZT
100
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE
Figure 3. Effect of Zener Voltage on
Zener Impedance
10
1
Z ZT
,DYNAMIC
IMPEDANCE
(
)
Ω
1000
100
10
1
TJ = 25°C
IZ(AC) = 0.1 IZ(DC)
f = 1 kHz
IZ = 1 mA
5 mA
20 mA
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 4. Typical Forward Voltage
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
I F
,FOR
W
ARD
CURRENT
(mA)
1000
100
10
1
75 V (MMBZ5267BLT1)
91 V (MMBZ5270BLT1)
150°C
75°C 25°C
0°C
相关PDF资料
PDF描述
SMMBD301LT1 SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB
SMBG13C/51 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG14/51 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG20CA/52 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG28A/52 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
相关代理商/技术参数
参数描述
SZMMBZ5230BLT1G 功能描述:稳压二极管 ZEN REG .225W 4.7V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
SZMMBZ5231BLT1 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
SZMMBZ5231BLT1G 功能描述:稳压二极管 ZEN REG .225W 5.1V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
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