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参数资料
| 型号： | SZNUP4016P5T5G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS ARRAY ULT LOW CAP SOT-953 |
| 标准包装： | 8,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5V |
| 电压 - 击穿： | 5.5V |
| 电极标记： | 4 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
NUP4016P5T5G, SZNUP4016P5T5G
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ? C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse Working Voltage
Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
V RWM
V BR
I R
(Note 1)
I T = 1 mA, (Note 2)
V RWM = 5 V
5.5
5.0
1.0
V
V
m A
Junction Capacitance
Junction Capacitance
C J
C J
V R = 0 V, f = 1 MHz between I/O Pins and GND
V R = 0 V, f = 1 MHz between I/O Pins
0.5
0.3
0.8
0.5
pF
pF
1. TVS devices are normally selected according to the working peak reverse voltage (V RWM ), which should be equal or greater than the DC
or continuous peak operating voltage level.
2. V BR is measured at pulse test current I T .
3. Include SZ-prefix devices where applicable.
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ? C unless otherwise noted)
Figure 1. ESD Clamping Voltage Screenshot
(8 kV Contact per IEC610000 ? 4 ? 2)
http://onsemi.com
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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