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参数资料
| 型号： | T435-800H |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 800 V, 4 A, SNUBBERLESS TRIAC |
| 封装： | IPAK-3 |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | T435-800H |
T4 Series
4/10
Figure 1: Maximum power dissipation versus
RMS on-state current (full cycle)
Figure 2: RMS on-state current versus case
temperature (full cycle)
Figure 3: RMS on-state current versus ambient
temperature (printed circuit board FR4, copper
thickness: 35m) (full cycle)
Figure 4: Relative
variation
of
thermal
impedance versus pulse duration
Figure 5: On-state characteristics (maximum
values)
Figure 6: Surge peak on-state current versus
number of cycles
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
1
2
3
4
5
6
P(W)
I
(A)
T(RMS)
0
25
50
75
100
125
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
I
(A)
T(RMS)
T (°C)
C
TO-220AB / DPAK / IPAK
ISOWATT220AB
0
25
50
75
100
125
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
I
(A)
T(RMS)
T (°C)
C
DPAK
(S=0.5CM )
2
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
5E+2
1E-2
1E-1
1E+0
K=[Z /R
th
th]
t (s)
p
Rth(j-c)
Rth(j-a)
TO-220AB / DPAK / IPAK
DPAK / IPAK
ISOWATT220AB
TO-220AB / ISOWATT220AB
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0.1
1.0
10.0
30.0
I
(A)
TM
V
(V)
TM
T max.
V = 0.90V
R = 120 m
j
to
d
T=
j
T max.
j
T = 25°C
j
.
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
35
I
(A)
TSM
Number of cycles
t=20ms
One cycle
Non repetitive
T initial=25°C
j
Repetitive
T =110°C
C
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