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参数资料
| 型号： | T436416A-6SG |
| 厂商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4M X 16 SDRAM |
| 中文描述： | 4米× 16内存 |
| 文件页数： | 24/29页 |
| 文件大小： | 712K |
| 代理商： | T436416A-6SG |
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TE
CH
tm
Write Interrupted by Prechareg Command & Write Burst Stop Cycle @ Burst Length=Full Page
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
T436416A
TM Technology Inc. reserves the right
P.24
to change products or specifications without notice.
Publication Date: MAY. 2003
Revision: B
C LO C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
B A
A 10/A P
D Q
W E
D Q M
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
H IG H
:D on't care
R ow A ctive
(A -B ank)
W rite (A -
B ank)
B urst Stop
W rite (A -
B ank)
Precharge
(A -B ank)
R A a
C A a
C A b
R A a
D A a0
D A a1
D A a2
D A a3
D A a4
D A b0
D A b1
D A b2
D A b3
D A b4
D A b5
*N ote3
t
BD L
t
RD L
*Note : 1. Burst can’t end in full page mode, so auto precharge can’t issue.
2. Data-in at the cycle of interrupted by precharge can not be written into the corresponding memory cell.
It is defined by AC parameter of
t
RDL
.
DQM at write interrupted by precharge command is needed to prevent invalid write.
Input data after Row precharge cycle will be masked internally.
3. Burst stop is valid at every burst length.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T436416A-7.5S | 4M X 16 SDRAM |
| T436416A-7.5SG | 4M X 16 SDRAM |
| T436416A-7S | TERMINAL BLOCK END BARRIER IEC +OPTIONS |
| T436416A-7SG | 4M X 16 SDRAM |
| T436416A-8S | 4M X 16 SDRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| T436416A-7.5S | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
| T436416A-7.5SG | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
| T436416A-7S | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
| T436416A-7SG | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
| T436416A-8S | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
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