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参数资料
| 型号： | T436416A-6SG |
| 厂商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4M X 16 SDRAM |
| 中文描述： | 4米× 16内存 |
| 文件页数： | 26/29页 |
| 文件大小： | 712K |
| 代理商： | T436416A-6SG |
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TE
CH
tm
Active/ Precharge Power Down Mode @ CAS latency = 2, Butsr length = 4
0
1
2
3
4
5
6
7
SS
SS
T436416A
TM Technology Inc. reserves the right
P.26
to change products or specifications without notice.
Publication Date: MAY. 2003
Revision: B
CLOCK
CKE
CS
RAS
CAS
ADDR
BA
A10/AP
DQ
W E
DQM
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
:Don't care
Precharge
Pow er-
D ow n Entry
Precharge
Pow er-
D ow n Exit
Row A ctive
A ctive
Pow er-
D ow n Entry
A ctive
Pow er-
D ow n Exit
Read
Precharge
Qa0
Qa1
Qa2
Ra
Ca
Ra
t
SHZ
SS
tss
tss
tss
*Note1
*Note3
*Note2
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
*Note : 1. Both banks should be in idle state prior to entering precharge power down mode.
2. CKE should be set high at least 1CLK+
t
SS
prior to Row active command.
3. Can not violate minimum refresh specification.(64ms)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T436416A-7.5S | 4M X 16 SDRAM |
| T436416A-7.5SG | 4M X 16 SDRAM |
| T436416A-7S | TERMINAL BLOCK END BARRIER IEC +OPTIONS |
| T436416A-7SG | 4M X 16 SDRAM |
| T436416A-8S | 4M X 16 SDRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| T436416A-7.5S | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
| T436416A-7.5SG | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
| T436416A-7S | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
| T436416A-7SG | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
| T436416A-8S | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
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