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参数资料
| 型号： | T436432B-10S |
| 厂商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 200万× 32内存为512k × 32 x 4Banks同步DRAM |
| 文件页数： | 66/72页 |
| 文件大小： | 731K |
| 代理商： | T436432B-10S |
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TE
CH
tm
T436432B
TM Technology Inc. reserves the right
P. 66
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2007
Revision: A
Figure 21. Random Row Read (Interleaving Banks)
(Burst Length=2, CAS# Latency=1)
T0
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
WE#
A10
A0~A9
DQM
DQ
BS0,1
High
t
CK1
Bu0
Bu1Au0
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Av0
Av1 Bw0 Bw1
Aw0
Aw1Bx0
Bx1
Ax0
Ax1 By0
By1 Ay0 Ay1
Bz0
Activate
Command
Bank B
Read
Bank B
with Auto
Precharge
Activate
Command
Bank A
Read
Bank A
with Auto
Precharge
Activate
Command
Bank B
Read
Bank B
with Auto
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Bank A
Read
Bank A
with Auto
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Bank B
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with Auto
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Bank A
Read
Bank A
with Auto
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Bank B
Read
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with Auto
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Bank A
Read
Bank A
with Auto
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Bank B
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with Auto
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Bank A
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Bank B
Read
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with Auto
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Activate
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Bank A
RBu
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tRP
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Begin Auto
Precharge
Bank B
Begin Auto
Precharge
Bank A
Begin Auto
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Bank B
Begin Auto
Precharge
Bank A
Begin Auto
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Bank B
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Bank B
Begin Auto
Precharge
Bank A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T436432B-10SG | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-55S | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
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| T494D156M025AS | SOLID TANTALUM CHIP CAPACITORS<br>(T494 SERIES - Low ESR, Industrial Grade) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| T436432B-10SG | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-55S | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-55SG | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-5S | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-5SG | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
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