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参数资料
| 型号： | TC4423VOE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 10/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 16SOIC |
| 标准包装： | 47 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 33ns |
| 电流 - 峰： | 3A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 管件 |
TC4423/TC4424/TC4425
4.0
APPLICATIONS INFORMATION
V DD = 18V
V DD = 18V
1 μF
WIMA
MKS-2
0.1 μF
Ceramic
1 μF
WIMA
MKS-2
0.1 μF
Ceramic
Input
1
2
Output
C L = 1800 pF
Input
1
2
Output
C L = 1800 pF
TC4423
(1/2 TC4425)
Input: 100 kHz,
square wave,
t RISE = t FALL ≤ 10 ns
TC4424
(1/2 TC4425)
Input: 100 kHz,
square wave,
t RISE = t FALL ≤ 10 ns
+5V
Input
90%
+5V
Input
90%
0V
18V
Output
10%
t D1
90%
t F
t D2
t R
90%
0V
18V
Output
10%
t D1 90%
t R
t D2
90%
t F
0V
10%
10%
0V
10%
10%
FIGURE 4-1:
Inverting Driver Switching
FIGURE 4-2:
Non-inverting Driver
Time.
DS21421D-page 10
Switching Time.
? 2004 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EBM18DCMH | CONN EDGECARD 36POS .156 WW |
| B32522C1105J | CAP FILM 1UF 100VDC RADIAL |
| RN-0515S/H | CONV DC/DC 1.25W 05VIN 15VOUT |
| GPM55C | PS MEDICAL QUAD OUT +5,15,5,15 |
| 1N3260R | RECTIFIER STUD 50V 160A DO-9 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TC4423VOE713 | 功能描述:功率驱动器IC 3A Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4423VPA | 功能描述:功率驱动器IC 3A Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4424 | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:3A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers |
| TC4424A | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:3A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers |
| TC4424ACOE | 功能描述:功率驱动器IC 3A Dual MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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