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参数资料
| 型号： | TC4423VOE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 5/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 16SOIC |
| 标准包装： | 47 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 33ns |
| 电流 - 峰： | 3A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 管件 |
TC4423/TC4424/TC4425
2.0
Note:
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
The graphs and tables provided following this note are a statistical summary based on a limited number of
samples and are provided for informational purposes only. The performance characteristics listed herein
are not tested or guaranteed. In some graphs or tables, the data presented may be outside the specified
operating range (e.g., outside specified power supply range) and therefore outside the warranted range.
100
80
4700 pF
100
80
4700 pF
60
40
3300 pF
2200 pF
60
40
3300 pF
2200 pF
20
470 pF
1500 pF
1000 pF
20
470 pF
1500 pF
1000 pF
0
0
4
6
8
10 12
14
16
18
4
6
8
10 12
14
16
18
V DD (V)
V DD (V)
FIGURE 2-1:
Voltage.
100
80
60
Rise Time vs. Supply
5V
10V
FIGURE 2-4:
Voltage.
100
80
60
Fall Time vs. Supply
5V
10V
40
20
0
15V
40
20
0
15V
100
1000
10,000
100
1000
10,000
C LOAD (pF)
C LOAD (pF)
FIGURE 2-2:
Load.
32
Rise Time vs. Capacitive
FIGURE 2-5:
Load.
100
Fall Time vs. Capacitive
30
C LOAD = 2200 pF
t FALL
80
t D1
C LOAD = 2200 pF
V DD = 10V
28
26
24
22
t RISE
t RISE
60
40
20
t FALL
20
t D2
18
-55
-35
-15
5
25 45
65
85
105 125
0
1
2
3
4
5 6 7
8
9
10 11 12
T A ( ° C)
Input (V)
FIGURE 2-3:
Rise and Fall Times vs.
FIGURE 2-6:
Propagation Delay vs. Input
Temperature.
? 2004 Microchip Technology Inc.
Amplitude.
DS21421D-page 5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EBM18DCMH | CONN EDGECARD 36POS .156 WW |
| B32522C1105J | CAP FILM 1UF 100VDC RADIAL |
| RN-0515S/H | CONV DC/DC 1.25W 05VIN 15VOUT |
| GPM55C | PS MEDICAL QUAD OUT +5,15,5,15 |
| 1N3260R | RECTIFIER STUD 50V 160A DO-9 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TC4423VOE713 | 功能描述:功率驱动器IC 3A Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4423VPA | 功能描述:功率驱动器IC 3A Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4424 | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:3A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers |
| TC4424A | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:3A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers |
| TC4424ACOE | 功能描述:功率驱动器IC 3A Dual MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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