参数资料
型号: TC4423VOE
厂商: Microchip Technology
文件页数: 6/18页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 16SOIC
标准包装: 47
配置: 低端
输入类型: 反相
延迟时间: 33ns
电流 - 峰: 3A
配置数: 2
输出数: 2
电源电压: 4.5 V ~ 18 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商设备封装: 16-SOIC
包装: 管件
TC4423/TC4424/TC4425
Typical Performance Curves (Continued)
50
C LOAD = 2200 pF
50
C LOAD = 2200 pF
45
40
45
40
t D2
35
30
25
20
t D2
t D1
35
30
25
20
t D1
4
6
8
10 12
14
16
18
-55
-35
-15
5
25 45
65
85
105 125
V DD (V)
T A ( ° C)
FIGURE 2-7:
Supply Voltage.
T A = 25 ° C
1
Propagation Delay Time vs.
Both Inputs = 1
FIGURE 2-10:
Temperature.
1.4
1.2
Propagation Delay Time vs.
1.0
0.8
Both Inputs = 1
0.1
Both Inputs = 0
0.6
0.4
0.2
Both Inputs = 0
0.01
4
6
8
10 12
14
16
18
0.0
-55
-35
-15
5
25 45
65
85
105 125
V DD (V)
T A ( ° C)
FIGURE 2-8:
Supply Voltage.
14
12
10
8
6
4
2
Quiescent Current vs.
Worst Case
@ T J = +150 ° C
Typical @
T A = +25 ° C
FIGURE 2-11:
Temperature.
14
12
10
8
6
4
2
Quiescent Current vs.
Worst Case
@ T J = +150 ° C
Typical @
T A = +25 ° C
4
6
8
10 12
14
16
18
4
6
8
10 12
14
16
18
V DD (V)
V DD (V)
FIGURE 2-9:
Output Resistance
FIGURE 2-12:
Output Resistance
(Output High) vs. Supply Voltage.
DS21421D-page 6
(Output Low) vs. Supply Voltage.
? 2004 Microchip Technology Inc.
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PDF描述
EBM18DCMH CONN EDGECARD 36POS .156 WW
B32522C1105J CAP FILM 1UF 100VDC RADIAL
RN-0515S/H CONV DC/DC 1.25W 05VIN 15VOUT
GPM55C PS MEDICAL QUAD OUT +5,15,5,15
1N3260R RECTIFIER STUD 50V 160A DO-9
相关代理商/技术参数
参数描述
TC4423VOE713 功能描述:功率驱动器IC 3A Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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