参数资料
型号: TC4423VOE
厂商: Microchip Technology
文件页数: 14/18页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 16SOIC
标准包装: 47
配置: 低端
输入类型: 反相
延迟时间: 33ns
电流 - 峰: 3A
配置数: 2
输出数: 2
电源电压: 4.5 V ~ 18 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商设备封装: 16-SOIC
包装: 管件
TC4423/TC4424/TC4425
16-Lead Plastic Small Outline (SO) – Wide, 300 mil (SOIC)
E
p
E1
2
D
B
c
n
45 °
h
1
α
A
A2
β
Units
L
φ
INCHES*
A1
MILLIMETERS
Dimension Limits
MIN
NOM
MAX
MIN
NOM
MAX
Number of Pins
Pitch
n
p
16
.050
16
1.27
Overall Height
Molded Package Thickness
Standoff §
Overall Width
Molded Package Width
Overall Length
Chamfer Distance
Foot Length
A
A2
A1
E
E1
D
h
L
.093
.088
.004
.394
.291
.398
.010
.016
.099
.091
.008
.407
.295
.406
.020
.033
.104
.094
.012
.420
.299
.413
.029
.050
2.36
2.24
0.10
10.01
7.39
10.10
0.25
0.41
2.50
2.31
0.20
10.34
7.49
10.30
0.50
0.84
2.64
2.39
0.30
10.67
7.59
10.49
0.74
1.27
Foot Angle
φ
0
4
8
0 4
8
Lead Thickness
Lead Width
Mold Draft Angle Top
Mold Draft Angle Bottom
c
B
α
β
.009
.014
0
0
.011
.017
12
12
.013
.020
15
15
0.23
0.36
0
0
0.28
0.42
12
12
0.33
0.51
15
15
* Controlling Parameter
§ Significant Characteristic
Notes:
Dimensions D and E1 do not include mold flash or protrusions. Mold flash or protrusions shall not exceed
.010” (0.254mm) per side.
JEDEC Equivalent: MS-013
Drawing No. C04-102
DS21421D-page 14
? 2004 Microchip Technology Inc.
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PDF描述
EBM18DCMH CONN EDGECARD 36POS .156 WW
B32522C1105J CAP FILM 1UF 100VDC RADIAL
RN-0515S/H CONV DC/DC 1.25W 05VIN 15VOUT
GPM55C PS MEDICAL QUAD OUT +5,15,5,15
1N3260R RECTIFIER STUD 50V 160A DO-9
相关代理商/技术参数
参数描述
TC4423VOE713 功能描述:功率驱动器IC 3A Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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